IRF6215STRR

Número de Producto del Fabricante:

IRF6215STRR

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

IRF6215STRR-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK

Descripción Detallada:

P-Channel 150 V 13A (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount D2PAK

Inventario:

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12804710

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IRF6215STRR Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Infineon Technologies

Embalaje

-

Serie

HEXFET®

Estado del producto

Obsolete

Tipo FET

P-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

150 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

13A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

290mOhm @ 6.6A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

4V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

66 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

860 pF @ 25 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

3.8W (Ta), 110W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor

D2PAK

Paquete / Caja

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar

800

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

RoHS non-compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE

IRF6215STRLPBF

FABRICANTE

Infineon Technologies

CANTIDAD DISPONIBLE

5

NÚMERO DE PIEZA

IRF6215STRLPBF-DG

PRECIO UNITARIO

1.54

TIPO DE SUSTITUCIÓN

Parametric Equivalent

NÚMERO DE PARTE

FQB12P20TM

FABRICANTE

onsemi

CANTIDAD DISPONIBLE

0

NÚMERO DE PIEZA

FQB12P20TM-DG

PRECIO UNITARIO

0.77

TIPO DE SUSTITUCIÓN

MFR Recommended

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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