Número de Producto del Fabricante:
IRF6608TR1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRF6608TR1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 13A (Ta), 55A (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ ST
Inventario:
12805169
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IRF6608TR1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
13A (Ta), 55A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
9mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
24 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2120 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.1W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DIRECTFET™ ST
Paquete / Caja
DirectFET™ Isometric ST
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
SP001528864
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IRF3710ZSTRRPBF
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
IPP60R199CPXKSA1
MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3
IRF6613TR1
MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET
