Número de Producto del Fabricante:
IRF6610TR1PBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRF6610TR1PBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET
Descripción Detallada:
N-Channel 20 V 15A (Ta), 66A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ
Inventario:
12804983
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IRF6610TR1PBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
15A (Ta), 66A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
6.8mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.55V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
17 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1520 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.2W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DIRECTFET™ SQ
Paquete / Caja
DirectFET™ Isometric SQ
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
IRF6610TR1PBFCT
IRF6610TR1PBFTR
IRF6610TR1PBFDKR
SP001529018
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IPI70N04S307AKSA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
IRFL024NPBF
MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223
IPP260N06N3GXKSA1
MOSFET N-CH 60V 27A TO220-3
