IRF6619TR1PBF

Número de Producto del Fabricante:

IRF6619TR1PBF

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

IRF6619TR1PBF-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET

Descripción Detallada:

N-Channel 20 V 30A (Ta), 150A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX

Inventario:

2000 Pcs Nuevos Originales En Stock

12803360

Solicitar Cotización

Cantidad
Mínimo 1

(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas

ENVIAR

IRF6619TR1PBF Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Infineon Technologies

Embalaje

Tape & Reel (TR)

Serie

HEXFET®

Estado del producto

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

20 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

30A (Ta), 150A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

4.5V, 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

2.2mOhm @ 30A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

2.45V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

57 nC @ 4.5 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

5040 pF @ 10 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor

DIRECTFET™ MX

Paquete / Caja

DirectFET™ Isometric MX

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

IRF6619TR1PBF-DG

Información Adicional

Paquete Estándar

1,000

Otros nombres

IRF6619TR1PBFCT

IRF6619TR1PBFTR

SP001531686

IRF6619TR1PBFDKR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE

IRF6619TR1

FABRICANTE

Infineon Technologies

CANTIDAD DISPONIBLE

7158

NÚMERO DE PIEZA

IRF6619TR1-DG

PRECIO UNITARIO

1.19

TIPO DE SUSTITUCIÓN

Parametric Equivalent

NÚMERO DE PARTE

IRF6619

FABRICANTE

Infineon Technologies

CANTIDAD DISPONIBLE

13859

NÚMERO DE PIEZA

IRF6619-DG

PRECIO UNITARIO

1.21

TIPO DE SUSTITUCIÓN

Parametric Equivalent

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Productos relacionados

infineon-technologies

IPI80N06S3-07

MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3

infineon-technologies

IRF135SA204

MOSFET N-CH 135V 160A D2PAK-7

infineon-technologies

IPB180N06S4H1ATMA2

MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

infineon-technologies

IPB120N04S4L02ATMA1

MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK