Número de Producto del Fabricante:
IRF6643TRPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRF6643TRPBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET
Descripción Detallada:
N-Channel 150 V 6.2A (Ta), 35A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Inventario:
10693 Pcs Nuevos Originales En Stock
12804463
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ENVIAR
IRF6643TRPBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
150 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6.2A (Ta), 35A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
34.5mOhm @ 7.6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.9V @ 150µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2340 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DIRECTFET™ MZ
Paquete / Caja
DirectFET™ Isometric MZ
Número de producto base
IRF6643
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
4,800
Otros nombres
IRF6643TRPBF-DG
SP001570070
IRF6643TRPBFDKR
IRF6643TRPBFCT
IRF6643TRPBFTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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