Número de Producto del Fabricante:
IRF6674TRPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRF6674TRPBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 13.4A (Ta), 67A (Tc) 3.6W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Inventario:
13534 Pcs Nuevos Originales En Stock
12802674
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ENVIAR
IRF6674TRPBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
13.4A (Ta), 67A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
11mOhm @ 13.4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.9V @ 100µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1350 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.6W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DIRECTFET™ MZ
Paquete / Caja
DirectFET™ Isometric MZ
Número de producto base
IRF6674
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
4,800
Otros nombres
SP001564538
IRF6674TRPBFDKR
IRF6674TRPBFCT
IRF6674TRPBF-DG
IRF6674TRPBFTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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