Número de Producto del Fabricante:
IRF6718L2TRPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRF6718L2TRPBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET
Descripción Detallada:
N-Channel 25 V 61A (Ta), 270A (Tc) 4.3W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount DIRECTFET L6
Inventario:
12815974
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ENVIAR
IRF6718L2TRPBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
25 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
61A (Ta), 270A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
0.7mOhm @ 61A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.35V @ 150µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
96 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6500 pF @ 13 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
4.3W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DIRECTFET L6
Paquete / Caja
DirectFET™ Isometric L6
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
4,000
Otros nombres
IRF6718L2TRPBFDKR
IRF6718L2TRPBFCT
IRF6718L2TRPBF-DG
IRF6718L2TRPBFTR
SP001523928
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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