Número de Producto del Fabricante:
IRF6785MTR1PBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRF6785MTR1PBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 3.4A (Ta), 19A (Tc) 2.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Inventario:
12802837
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ENVIAR
IRF6785MTR1PBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3.4A (Ta), 19A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
100mOhm @ 4.2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 100µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1500 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.8W (Ta), 57W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DIRECTFET™ MZ
Paquete / Caja
DirectFET™ Isometric MZ
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
IRF6785MTR1PBFTR
IRF6785MTR1PBFDKR
SP001574770
IRF6785MTR1PBFCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRF6785MTRPBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
9600
NÚMERO DE PIEZA
IRF6785MTRPBF-DG
PRECIO UNITARIO
1.31
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
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