Número de Producto del Fabricante:
IRF7106
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRF7106-DG
Descripción:
MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.5A 8SO
Descripción Detallada:
Mosfet Array 20V 3A, 2.5A 2W Surface Mount 8-SO
Inventario:
12809945
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ENVIAR
IRF7106 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Obsolete
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
N and P-Channel
Función FET
-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3A, 2.5A
rds activados (máx.) @ id, vgs
125mOhm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
25nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
300pF @ 15V
Potencia - Máx.
2W
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SO
Número de producto base
IRF71
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
95
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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