Número de Producto del Fabricante:
IRF7473PBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRF7473PBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 6.9A 8SO
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 6.9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventario:
12802770
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ENVIAR
IRF7473PBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6.9A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
26mOhm @ 4.1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
61 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3180 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SO
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
95
Otros nombres
SP001572110
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
FDS3572
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
6770
NÚMERO DE PIEZA
FDS3572-DG
PRECIO UNITARIO
0.63
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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