Número de Producto del Fabricante:
IRF8304MTR1PBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRF8304MTR1PBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 28A DIRECTFET
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 28A (Ta), 170A (Tc) 2.8W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Inventario:
12805055
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IRF8304MTR1PBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
28A (Ta), 170A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.2mOhm @ 28A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.35V @ 100µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
42 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4700 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.8W (Ta), 100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DIRECTFET™ MX
Paquete / Caja
DirectFET™ Isometric MX
Número de producto base
IRF8304
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
IRF8304MTR1PBFDKR
SP001555726
IRF8304MTR1PBFCT
IRF8304MTR1PBFTR
IRF8304MTR1PBF-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IRF7704
MOSFET P-CH 40V 4.6A 8TSSOP
IPP80N06S2L11AKSA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
IRF7811WGTRPBF
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
