Número de Producto del Fabricante:
IRF9952PBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRF9952PBF-DG
Descripción:
MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO
Descripción Detallada:
Mosfet Array 30V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
Inventario:
12803090
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ENVIAR
IRF9952PBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Discontinued at Digi-Key
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
N and P-Channel
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3.5A, 2.3A
rds activados (máx.) @ id, vgs
100mOhm @ 2.2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
14nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
190pF @ 15V
Potencia - Máx.
2W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SO
Número de producto base
IRF995
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
95
Otros nombres
SP001566518
2156-IRF9952PBF
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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