IRF9Z34NLPBF
Número de Producto del Fabricante:

IRF9Z34NLPBF

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

IRF9Z34NLPBF-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 55V 19A TO262
Descripción Detallada:
P-Channel 55 V 19A (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc) Through Hole TO-262

Inventario:

12805099
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IRF9Z34NLPBF Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
55 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
19A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
100mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
620 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.8W (Ta), 68W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-262
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
50
Otros nombres
SP001570616
*IRF9Z34NLPBF

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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