Número de Producto del Fabricante:
IRFH7184TRPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRFH7184TRPBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 20A/128A PQFN
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 20A (Ta), 128A (Tc) 3.9W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
Inventario:
12803813
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IRFH7184TRPBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
FASTIRFET™, HEXFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
20A (Ta), 128A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.8mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.6V @ 150µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2320 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.9W (Ta), 156W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PQFN (5x6)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
4,000
Otros nombres
SP001570944
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
BSC060N10NS3GATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
12802
NÚMERO DE PIEZA
BSC060N10NS3GATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
1.17
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
Productos relacionados
IRF5800TR
MOSFET P-CH 30V 4A MICRO6
IRFR3504ZTRLPBF
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
IRF2907ZSTRLPBF
MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK
