Número de Producto del Fabricante:
IRFHM4226TRPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRFHM4226TRPBF-DG
Descripción:
MOSFET N CH 25V 28A PQFN
Descripción Detallada:
N-Channel 25 V 28A (Ta) 2.7W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount
Inventario:
12822708
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ENVIAR
IRFHM4226TRPBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
25 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
28A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.2mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.1V @ 50µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2000 pF @ 13 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.7W (Ta), 39W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-TQFN Exposed Pad
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
4,000
Otros nombres
IRFHM4226TRPBFCT
IRFHM4226TRPBFTR
SP001556568
IRFHM4226TRPBFDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
BSZ0901NSIATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
5318
NÚMERO DE PIEZA
BSZ0901NSIATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.50
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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