IRFHM8337TRPBF
Número de Producto del Fabricante:

IRFHM8337TRPBF

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

IRFHM8337TRPBF-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 30V 12A 8PQFN
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 12A (Ta) 2.8W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33

Inventario:

12804137
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

IRFHM8337TRPBF Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
12A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
12.4mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.35V @ 25µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
8.1 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
755 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.8W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Paquete / Caja
8-PowerTDFN

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
4,000
Otros nombres
SP001572684
2156-IRFHM8337TRPBF
IRFHM8337TRPBFTR
IFEINFIRFHM8337TRPBF
IRFHM8337TRPBFDKR
IRFHM8337TRPBFCT

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
FDMC8882
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
61937
NÚMERO DE PIEZA
FDMC8882-DG
PRECIO UNITARIO
0.32
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
FDMC8878
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
6381
NÚMERO DE PIEZA
FDMC8878-DG
PRECIO UNITARIO
0.46
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
RQ3E100MNTB1
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
5261
NÚMERO DE PIEZA
RQ3E100MNTB1-DG
PRECIO UNITARIO
0.40
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
DMG4468LFG-7
FABRICANTE
Diodes Incorporated
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
DMG4468LFG-7-DG
PRECIO UNITARIO
0.28
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
RQ3E080BNTB
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
40431
NÚMERO DE PIEZA
RQ3E080BNTB-DG
PRECIO UNITARIO
0.10
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
Productos relacionados
infineon-technologies

IPD031N03LGBTMA1

MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3

infineon-technologies

IPP45N06S409AKSA1

MOSFET N-CH 60V 45A TO220-3

infineon-technologies

IRFR120NCTRLPBF

MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK

infineon-technologies

IPP80N06S2L06AKSA1

MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3