Número de Producto del Fabricante:
IRFI4227PBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRFI4227PBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 26A TO220AB FP
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 26A (Tc) 46W (Tc) Through Hole TO-220AB Full-Pak
Inventario:
6294 Pcs Nuevos Originales En Stock
12805157
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IRFI4227PBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
26A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
25mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4600 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
46W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220AB Full-Pak
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
IRFI4227
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
SP001564096
448-IRFI4227PBF
IRFI4227PBF-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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