Número de Producto del Fabricante:
IRFL4315PBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRFL4315PBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223
Descripción Detallada:
N-Channel 150 V 2.6A (Ta) 2.8W (Ta) Surface Mount SOT-223
Inventario:
12814850
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ENVIAR
IRFL4315PBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
150 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.6A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
185mOhm @ 1.6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
420 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.8W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-223
Paquete / Caja
TO-261-4, TO-261AA
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
80
Otros nombres
SP001554908
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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