Número de Producto del Fabricante:
IRFP4332PBFXKMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRFP4332PBFXKMA1-DG
Descripción:
TRENCH >=100V
Descripción Detallada:
N-Channel 250 V 57A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventario:
13269164
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IRFP4332PBFXKMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
250 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
57A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
33mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5860 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
360W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247AC
Paquete / Caja
TO-247-3
Información Adicional
Paquete Estándar
400
Otros nombres
448-IRFP4332PBFXKMA1
SP005582181
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Certificación DIGI
Productos relacionados
IMW65R040M2HXKSA1
SILICON CARBIDE MOSFET
IPP100N10S305AKSA2
MOSFET_(75V 120V(
IMBG65R050M2HXTMA1
SILICON CARBIDE MOSFET