Número de Producto del Fabricante:
IRFP4668PBFXKMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRFP4668PBFXKMA1-DG
Descripción:
TRENCH >=100V PG-TO247-3
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 130A (Tc) 520W Through Hole TO-247AC
Inventario:
396 Pcs Nuevos Originales En Stock
13001213
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ENVIAR
IRFP4668PBFXKMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
130A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
9.7mOhm @ 81A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
241 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
10720 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
520W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247AC
Paquete / Caja
TO-247-3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
25
Otros nombres
SP005732696
448-IRFP4668PBFXKMA1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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