Inicio
Productos
Fabricantes
Acerca de DiGi
Contáctanos
Blogs y Publicaciones
Solicitud de Cotización/Cotización
Mexico
Iniciar sesión
Idioma Selectivo
Idioma actual de tu elección
Mexico
Cambiar:
Inglés
Europa
Reino Unido
Francia
España
Turquía
Moldavia
Lituania
Noruega
Alemania
Portugal
Eslovaquia
ltaly
Finlandia
Ruso
Bulgaria
Dinamarca
Estonia
Polonia
Ucrania
Eslovenia
Checo
Griego
Croacia
Israel
Serbia
Bielorrusia
Países Bajos
Suecia
Montenegro
Vasco
Islandia
Bosnia
Húngaro
Rumania
Austria
Bélgica
Irlanda
Asia / Pacífico
China
Vietnam
Indonesia
Tailandia
Laos
Filipino
Malasia
Corea
Japón
Hong-kong
Taiwán
Singapur
Pakistán
Arabia Saudí
Qatar
Kuwait
Camboya
Myanmar
África, India y Oriente Medio
Emiratos Árabes Unidos
Tayikistán
Madagascar
India
Irán
República Democrática del Congo
Sudáfrica
Egipto
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marruecos
Túnez
América del Sur / Oceanía
Nueva Zelanda
Angola
Brasil
Mozambique
Perú
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
América del Norte
Estados Unidos
Haití
Canadá
Costa Rica
México
Acerca de DiGi
Sobre Nosotros
Sobre Nosotros
Nuestras Certificaciones
DiGi Introducción
Por qué DiGi
Política
Política de Calidad
Términos de uso
Cumplimiento con RoHS
Proceso de Devolución
Recursos
Categorías de Productos
Fabricantes
Blogs y Publicaciones
Servicios
Garantía de calidad
Método de Pago
Envío Global
Tarifas de Envío
Preguntas frecuentes
Número de Producto del Fabricante:
IRFPS3810PBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRFPS3810PBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 170A (Tc) 580W (Tc) Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
Inventario:
Solicitud de Cotización en Línea
12805042
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
*
Empresa
*
Nombre de contacto
*
Teléfono
*
Correo electrónico
Dirección de entrega
Mensaje
(
*
) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IRFPS3810PBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
170A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
9mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
390 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6790 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
580W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
SUPER-247™ (TO-274AA)
Paquete / Caja
TO-274AA
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
IRFPS3810PBF
Recursos de diseño
IRFPS3810 Saber Model
Hoja de datos HTML
IRFPS3810PBF-DG
Información Adicional
Paquete Estándar
400
Otros nombres
*IRFPS3810PBF
SP001566934
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRFP4468PBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
317
NÚMERO DE PIEZA
IRFP4468PBF-DG
PRECIO UNITARIO
4.42
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
Productos relacionados
IPD80R600P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 8A TO252-3
IPI530N15N3GXKSA1
MOSFET N-CH 150V 21A TO262-3
IRFR3707ZTRRPBF
MOSFET N-CH 30V 56A DPAK
IPA060N06NXKSA1
MOSFET N-CH 60V 45A TO220-FP