Número de Producto del Fabricante:
IRFS4115PBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRFS4115PBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 150 V 195A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventario:
12813580
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ENVIAR
IRFS4115PBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
150 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
195A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
12.1mOhm @ 62A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5270 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
375W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
D2PAK
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
64-2135PBF
64-2135PBF-DG
SP001565010
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
FDB2532
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
3812
NÚMERO DE PIEZA
FDB2532-DG
PRECIO UNITARIO
1.94
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
IPB50N10S3L16ATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
IPB50N10S3L16ATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.91
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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