Número de Producto del Fabricante:
IRFSL4127PBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRFSL4127PBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 72A TO262
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 72A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-262
Inventario:
1919 Pcs Nuevos Originales En Stock
12803397
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ENVIAR
IRFSL4127PBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
72A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
22mOhm @ 44A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
150 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5380 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
375W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-262
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número de producto base
IRFSL4127
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
448-IRFSL4127PBF
SP001557538
IRFSL4127PBF-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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