IRFSL4321PBF

Número de Producto del Fabricante:

IRFSL4321PBF

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

IRFSL4321PBF-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 150V 85A TO262

Descripción Detallada:

N-Channel 150 V 85A (Tc) 350W (Tc) Through Hole TO-262

Inventario:

Solicitud de Cotización en Línea

12809016

Solicitar Cotización

Cantidad
Mínimo 1

(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas

ENVIAR

IRFSL4321PBF Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Infineon Technologies

Embalaje

-

Serie

HEXFET®

Estado del producto

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

150 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

85A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

15mOhm @ 33A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

5V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

110 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

4460 pF @ 25 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

350W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete de dispositivos del proveedor

TO-262

Paquete / Caja

TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

IRFSL4321PBF-DG

Información Adicional

Paquete Estándar

50

Otros nombres

SP001550194

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Productos relacionados

infineon-technologies

IRLR3105TRLPBF

MOSFET N-CH 55V 25A DPAK

microchip-technology

TP2540N3-G

MOSFET P-CH 400V 86MA TO92-3

microchip-technology

TP5322K1-G

MOSFET P-CH 220V 120MA TO236AB

microchip-technology

TN0104N8-G

MOSFET N-CH 40V 630MA TO243AA