IRL3102
Número de Producto del Fabricante:

IRL3102

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

IRL3102-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 20V 61A TO220AB
Descripción Detallada:
N-Channel 20 V 61A (Tc) 89W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventario:

12805583
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

IRL3102 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
61A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 7V
rds activados (máx.) @ id, vgs
13mOhm @ 37A, 7V
vgs(th) (máx.) @ id
700mV @ 250µA (Min)
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
58 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2500 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
89W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Recursos de diseño
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
50
Otros nombres
*IRL3102

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
infineon-technologies

IRFR3704ZPBF

MOSFET N-CH 20V 60A DPAK

infineon-technologies

IPAW70R950CEXKSA1

MOSFET N-CH 700V 7.4A TO220-3-31

infineon-technologies

IPP45N06S4L08AKSA2

MOSFET N-CH 60V 45A TO220-3

infineon-technologies

IRF7324D1TRPBF

MOSFET P-CH 20V 2.2A 8SO