Número de Producto del Fabricante:
IRL3714ZLPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRL3714ZLPBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 36A TO262
Descripción Detallada:
N-Channel 20 V 36A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-262
Inventario:
12807845
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IRL3714ZLPBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
36A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
16mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.55V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
7.2 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
550 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
35W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-262
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Recursos de diseño
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
*IRL3714ZLPBF
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IPI65R150CFDXKSA1
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO262-3
SPW55N80C3FKSA1
MOSFET N-CH 800V 54.9A TO247-3
SPD03N60C3ATMA1
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
