Número de Producto del Fabricante:
IRL3714ZS
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRL3714ZS-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 20 V 36A (Tc) 35W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventario:
12806608
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IRL3714ZS Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
36A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
16mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.55V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
7.2 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
550 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
35W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
D2PAK
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Recursos de diseño
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
*IRL3714ZS
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IRLR2705TRRPBF
MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
IRL3715ZS
MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
IRLL014NPBF
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
