IRL3716PBF

Número de Producto del Fabricante:

IRL3716PBF

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

IRL3716PBF-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 20V 180A TO220AB

Descripción Detallada:

N-Channel 20 V 180A (Tc) 210W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventario:

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12806137

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IRL3716PBF Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Infineon Technologies

Embalaje

-

Serie

HEXFET®

Estado del producto

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

20 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

180A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

4.5V, 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

4mOhm @ 90A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

3V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

79 nC @ 4.5 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

5090 pF @ 10 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

210W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete de dispositivos del proveedor

TO-220AB

Paquete / Caja

TO-220-3

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar

50

Otros nombres

*IRL3716PBF

SP001558646

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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