Número de Producto del Fabricante:
IRLMS2002TRPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRLMS2002TRPBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO6
Descripción Detallada:
N-Channel 20 V 6.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(SOT23-6)
Inventario:
89338 Pcs Nuevos Originales En Stock
12806636
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ENVIAR
IRLMS2002TRPBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6.5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
30mOhm @ 6.5A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
22 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1310 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
Micro6™(SOT23-6)
Paquete / Caja
SOT-23-6
Número de producto base
IRLMS2002
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Recursos de diseño
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
*IRLMS2002TRPBF
2156-IRLMS2002TRPBF
SP001567202
IRLMS2002PBFDKR
IRLMS2002PBFCT
IRLMS2002PBFTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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