Número de Producto del Fabricante:
IRLR3915TRPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRLR3915TRPBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 55 V 30A (Tc) 120W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
Inventario:
6722 Pcs Nuevos Originales En Stock
12806017
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ENVIAR
IRLR3915TRPBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
55 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
30A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
14mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
92 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1870 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
120W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252AA (DPAK)
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
IRLR3915
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
IRLR3915TRPBFTR
IRLR3915TRPBF-DG
SP001558938
IRLR3915TRPBFCT
IRLR3915TRPBFDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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