Número de Producto del Fabricante:
IRLZ34NPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRLZ34NPBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 55V 30A TO220AB
Descripción Detallada:
N-Channel 55 V 30A (Tc) 68W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventario:
30318 Pcs Nuevos Originales En Stock
12807186
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ENVIAR
IRLZ34NPBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
55 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
30A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
35mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
25 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
880 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
68W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
IRLZ34
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Recursos de diseño
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
SP001553290
2156-IRLZ34NPBF
*IRLZ34NPBF
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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