ISP13DP06NMSATMA1
Número de Producto del Fabricante:

ISP13DP06NMSATMA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

ISP13DP06NMSATMA1-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 60V SOT223
Descripción Detallada:
P-Channel 60 V 2.8A (Ta) Surface Mount PG-SOT223

Inventario:

12806517
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ENVIAR

ISP13DP06NMSATMA1 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.8A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
-
rds activados (máx.) @ id, vgs
-
vgs(th) (máx.) @ id
-
Vgs (máx.)
±20V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
-
Temperatura de funcionamiento
-
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-SOT223
Paquete / Caja
TO-261-4, TO-261AA
Número de producto base
ISP13DP06

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
2156-ISP13DP06NMSATMA1TR
448-ISP13DP06NMSATMA1DKR
ISP13DP06NMSATMA1-DG
448-ISP13DP06NMSATMA1CT
SP004987238
448-ISP13DP06NMSATMA1TR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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