Número de Producto del Fabricante:
ISP650P06NMXTSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
ISP650P06NMXTSA1-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 60V 3.7A SOT223-4
Descripción Detallada:
P-Channel 60 V 3.7A (Ta) 1.8W (Ta), 4.2W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-4
Inventario:
1485 Pcs Nuevos Originales En Stock
12806326
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ENVIAR
ISP650P06NMXTSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3.7A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
65mOhm @ 3.7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1.037mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1600 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.8W (Ta), 4.2W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-SOT223-4
Paquete / Caja
TO-261-4, TO-261AA
Número de producto base
ISP650
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
448-ISP650P06NMXTSA1DKR
ISP650P06NMXTSA1-DG
SP004987266
448-ISP650P06NMXTSA1CT
448-ISP650P06NMXTSA1TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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