Número de Producto del Fabricante:
ISZ56DP15LMATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
ISZ56DP15LMATMA1-DG
Descripción:
TRENCH >=100V
Descripción Detallada:
P-Channel 150 V 1.35A (Ta), 6.7A (Tc) 2.5W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8 FL
Inventario:
9994 Pcs Nuevos Originales En Stock
12991555
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ENVIAR
ISZ56DP15LMATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
150 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.35A (Ta), 6.7A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
560mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 724µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1400 pF @ 75 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta), 62.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TSDSON-8 FL
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
ISZ56DP15
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
448-ISZ56DP15LMATMA1CT
448-ISZ56DP15LMATMA1DKR
448-ISZ56DP15LMATMA1TR
SP005412138
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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