Número de Producto del Fabricante:
SPA06N80C3XKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
SPA06N80C3XKSA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 800V 6A TO220-FP
Descripción Detallada:
N-Channel 800 V 6A (Tc) 39W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
Inventario:
13208 Pcs Nuevos Originales En Stock
12806378
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SPA06N80C3XKSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
CoolMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
900mOhm @ 3.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.9V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
785 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
39W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO220-3-31
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
SPA06N80
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
SPA06N80C3IN
SPA06N80C3IN-DG
SPA06N80C3X
SPA06N80C3XTIN
SPA06N80C3
SPA06N80C3IN-NDR
2156-SPA06N80C3XKSA1
SPA06N80C3XTIN-DG
SPA06N80C3XK
SP000216302
INFINFSPA06N80C3XKSA1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IRF7665S2TR1PBF
MOSFET N-CH 100V 4.1A DIRECTFET
SPP80N06S2-H5
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
IRLR7833TRL
MOSFET N-CH 30V 140A DPAK