Número de Producto del Fabricante:
SPB02N60C3ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
SPB02N60C3ATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 1.8A TO263-3
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 1.8A (Tc) 25W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventario:
12806749
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ENVIAR
SPB02N60C3ATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
CoolMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3Ohm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.9V @ 80µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
12.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
200 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO263-3-2
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
SPB02N
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
SPB02N60C3
SPB02N60C3ATMA1TR
SPB02N60C3XT
SPB02N60C3XT-DG
2156-SPB02N60C3ATMA1
IFEINFSPB02N60C3ATMA1
SPB02N60C3INTR-DG
SPB02N60C3INCT-DG
SPB02N60C3ATMA1CT
SPB02N60C3INCT
SPB02N60C3INTR
SP000013516
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
STD3N62K3
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
3586
NÚMERO DE PIEZA
STD3N62K3-DG
PRECIO UNITARIO
0.36
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
IRFBE30SPBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
IRFBE30SPBF-DG
PRECIO UNITARIO
1.34
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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