Número de Producto del Fabricante:
SPI07N60S5HKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
SPI07N60S5HKSA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO262-3
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 7.3A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Inventario:
12806580
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ENVIAR
SPI07N60S5HKSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
CoolMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
7.3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
600mOhm @ 4.6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5.5V @ 350µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
970 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO262-3-1
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número de producto base
SPI07N
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
SP000013025
SPI07N60S5IN-DG
SPI07N60S5IN
SPI07N60S5-DG
SP000680980
SPI07N60S5
SPI07N60S5X
SPI07N60S5XK
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
FQI7N60TU
FABRICANTE
Fairchild Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
1000
NÚMERO DE PIEZA
FQI7N60TU-DG
PRECIO UNITARIO
1.32
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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