Número de Producto del Fabricante:
SPN02N60C3
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
SPN02N60C3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 400MA SOT223-4
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 400mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Inventario:
12807133
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ENVIAR
SPN02N60C3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
CoolMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
400mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.5Ohm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.9V @ 80µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
200 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.8W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-SOT223-4
Paquete / Caja
TO-261-4, TO-261AA
Número de producto base
SPN02N
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
SP000101878
SPN02N60C3XT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
STN1HNK60
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
45248
NÚMERO DE PIEZA
STN1HNK60-DG
PRECIO UNITARIO
0.37
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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