Número de Producto del Fabricante:
SPP08P06PHXKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
SPP08P06PHXKSA1-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 60V 8.8A TO220-3
Descripción Detallada:
P-Channel 60 V 8.8A (Tc) 42W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventario:
12855996
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ENVIAR
SPP08P06PHXKSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
SIPMOS®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
8.8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
300mOhm @ 6.2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
420 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
42W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO220-3
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
SPP08P
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
500
Otros nombres
IFEINFSPP08P06PHXKSA1
SPP08P06P H-DG
2156-SPP08P06PHXKSA1
SPP08P06P G-DG
SP000446908
SPP08P06P H
SPP08P06P G
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
STP10P6F6
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
555
NÚMERO DE PIEZA
STP10P6F6-DG
PRECIO UNITARIO
0.62
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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