Número de Producto del Fabricante:
SPP18P06PHXKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
SPP18P06PHXKSA1-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 60V 18.7A TO220-3
Descripción Detallada:
P-Channel 60 V 18.7A (Ta) 81.1W (Ta) Through Hole PG-TO220-3
Inventario:
711 Pcs Nuevos Originales En Stock
12808072
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ENVIAR
SPP18P06PHXKSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
SIPMOS®
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
18.7A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
130mOhm @ 13.2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
860 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
81.1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO220-3
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
SPP18P06
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
SPP18P06P G-DG
IFEINFSPP18P06PHXKSA1
SPP18P06P H
SPP18P06PH
2156-SPP18P06PHXKSA1
SP000446906
SPP18P06P G
SPP18P06P H-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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