Número de Producto del Fabricante:
SPS01N60C3
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
SPS01N60C3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 800MA TO251-3
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 800mA (Tc) 11W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-11
Inventario:
12805654
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ENVIAR
SPS01N60C3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
CoolMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
800mA (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
6Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.9V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
100 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
11W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO251-3-11
Paquete / Caja
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Número de producto base
SPS01N
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,500
Otros nombres
2156-SPS01N60C3-IT
SP000235876
INFINFSPS01N60C3
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
STD2HNK60Z-1
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
3054
NÚMERO DE PIEZA
STD2HNK60Z-1-DG
PRECIO UNITARIO
0.51
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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