IRF430
Número de Producto del Fabricante:

IRF430

Product Overview

Fabricante:

International Rectifier

Número de pieza:

IRF430-DG

Descripción:

500V, N-CHANNEL REPETITIVE AVALA
Descripción Detallada:
N-Channel 500 V 4.5A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-204AA (TO-3)

Inventario:

7370 Pcs Nuevos Originales En Stock
12946711
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

IRF430 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
500 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.8Ohm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
610 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
75W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-204AA (TO-3)
Paquete / Caja
TO-204AA, TO-3

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
198
Otros nombres
2156-IRF430
IRFIRFIRF430

Clasificación Ambiental y de Exportación

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificación DIGI
Productos relacionados
fairchild-semiconductor

FDMC8327L

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

fairchild-semiconductor

FQPF5N90

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

fairchild-semiconductor

FDD6612A

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9

international-rectifier

AUIRF3805L

MOSFET N-CH 55V 160A TO262