Número de Producto del Fabricante:
IRF60B217
Product Overview
Fabricante:
International Rectifier
Número de pieza:
IRF60B217-DG
Descripción:
TRENCH 40<-<100V
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 60A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventario:
3490 Pcs Nuevos Originales En Stock
12976825
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ENVIAR
IRF60B217 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
60A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
9mOhm @ 36A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.7V @ 50µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
66 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2230 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO220-3-1
Paquete / Caja
TO-220-3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
388
Otros nombres
2156-IRF60B217
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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