Número de Producto del Fabricante:
IRF6641TRPBF
Product Overview
Fabricante:
International Rectifier
Número de pieza:
IRF6641TRPBF-DG
Descripción:
IRF6641 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 4.6A (Ta), 26A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Inventario:
720 Pcs Nuevos Originales En Stock
12947144
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ENVIAR
IRF6641TRPBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4.6A (Ta), 26A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
59.9mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.9V @ 150µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2290 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DIRECTFET™ MZ
Paquete / Caja
DirectFET™ Isometric MZ
Número de producto base
IRF6641
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
150
Otros nombres
2156-IRF6641TRPBF-IR
INFIRFIRF6641TRPBF
Clasificación Ambiental y de Exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificación DIGI
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