Número de Producto del Fabricante:
IV1Q12160T4
Product Overview
Fabricante:
Inventchip
Número de pieza:
IV1Q12160T4-DG
Descripción:
SIC MOSFET, 1200V 160MOHM, TO-24
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 20A (Tc) 138W (Tc) Through Hole TO-247-4
Inventario:
106 Pcs Nuevos Originales En Stock
12974633
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ENVIAR
IV1Q12160T4 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Inventchip Technology
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
20A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
20V
rds activados (máx.) @ id, vgs
195mOhm @ 10A, 20V
vgs(th) (máx.) @ id
2.9V @ 1.9mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
43 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
+20V, -5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
885 pF @ 800 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
138W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-4
Paquete / Caja
TO-247-4
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
4084-IV1Q12160T4
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
Certificación DIGI
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