Número de Producto del Fabricante:
IXFB150N65X2
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXFB150N65X2-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 150A PLUS264
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 150A (Tc) 1560W (Tc) Through Hole PLUS264™
Inventario:
86 Pcs Nuevos Originales En Stock
12821365
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ENVIAR
IXFB150N65X2 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
Tube
Serie
HiPerFET™, Ultra X2
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
150A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
17mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5.5V @ 8mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
430 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
20400 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1560W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PLUS264™
Paquete / Caja
TO-264-3, TO-264AA
Número de producto base
IXFB150
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
25
Otros nombres
IXFB150N65X2X
IXFB150N65X2X-DG
IXFB150N65X2XINACTIVE
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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