IXFB52N90P

Número de Producto del Fabricante:

IXFB52N90P

Product Overview

Fabricante:

IXYS

Número de pieza:

IXFB52N90P-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 900V 52A PLUS264

Descripción Detallada:

N-Channel 900 V 52A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole PLUS264™

Inventario:

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12820822

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IXFB52N90P Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Littelfuse

Embalaje

Tube

Serie

HiPerFET™, Polar

Estado del producto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

900 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

52A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

160mOhm @ 26A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

6.5V @ 1mA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

308 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

19000 pF @ 25 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

1250W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete de dispositivos del proveedor

PLUS264™

Paquete / Caja

TO-264-3, TO-264AA

Número de producto base

IXFB52

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar

25

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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