Número de Producto del Fabricante:
IXFC12N80P
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXFC12N80P-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 800V 7A ISOPLUS220
Descripción Detallada:
N-Channel 800 V 7A (Tc) 120W (Tc) Through Hole ISOPLUS220™
Inventario:
12819562
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ENVIAR
IXFC12N80P Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
-
Serie
HiPerFET™, PolarHT™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
7A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
930mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5.5V @ 2.5mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2800 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
120W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
ISOPLUS220™
Paquete / Caja
ISOPLUS220™
Número de producto base
IXFC12N80
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IXFP7N80P
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
299
NÚMERO DE PIEZA
IXFP7N80P-DG
PRECIO UNITARIO
2.31
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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