Número de Producto del Fabricante:
IXFH80N65X2
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXFH80N65X2-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 80A TO247
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 80A (Tc) 890W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Inventario:
12821231
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ENVIAR
IXFH80N65X2 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
Tube
Serie
HiPerFET™, Ultra X2
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
40mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5.5V @ 4mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
143 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
8245 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
890W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247 (IXTH)
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
IXFH80
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
IXFH80N65X2XINACTIVE
IXFH80N65X2X-DG
632463
IXFH80N65X2X
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
FCH041N60E
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
130
NÚMERO DE PIEZA
FCH041N60E-DG
PRECIO UNITARIO
7.29
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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11.45
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PRECIO UNITARIO
21.41
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