Número de Producto del Fabricante:
IXFJ32N50Q
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXFJ32N50Q-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 500V 32A TO268
Descripción Detallada:
N-Channel 500 V 32A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-268
Inventario:
12822899
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ENVIAR
IXFJ32N50Q Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
-
Serie
HiPerFET™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
500 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
32A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
150mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 4mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
153 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3950 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
360W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-268
Paquete / Caja
TO-220-3, Short Tab
Número de producto base
IXFJ32
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IXFP34N65X2
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
IXFP34N65X2-DG
PRECIO UNITARIO
3.29
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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